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无线和射频半导体
HMC311SC70E参考图片

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HMC311SC70E

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 8 GHz
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数量单价合计
1
¥64.9298
64.9298
10
¥58.7035
587.035
50
¥55.935
2796.75
100
¥48.5674
4856.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
类型
Gain Block Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
8 GHz
P1dB - 压缩点
15 dBm
增益
15 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
5 dB
OIP3 - 三阶截点
30 dBm
工作电源电流
55 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC311
封装
Cut Tape
频率范围
DC to 8 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
Pd-功率耗散
0.34 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
28 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
暂无价格
参考库存:40704
无线和射频半导体
射频放大器 Amplifier Power 5.5-8.5GHz 5W
暂无价格
参考库存:40709
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
暂无价格
参考库存:40714
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 7 GHz Integer-N Synthesizer SMT
暂无价格
参考库存:40719
无线和射频半导体
数字电位计 IC Digital Sextet Potentiometer
1:¥34.804
25:¥33.1994
50:¥30.6569
1,000:¥29.8094
参考库存:32887
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