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无线和射频半导体
HMC8410LP2FETR参考图片

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HMC8410LP2FETR

  • Analog Devices
  • 新批次
  • 射频放大器 Wideband LNAs-DC-8GHz P1dB20dBm-20dB Gai
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库存:6,163(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥357.3851
357.3851
5
¥347.2377
1736.1885
10
¥333.4065
3334.065
25
¥309.4392
7735.98
500
¥265.5613
132780.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
类型
MMIC Low Noise Amplifier
技术
GaAs
工作频率
0.01 GHz to 10 GHz
P1dB - 压缩点
21 dBm
增益
19.5 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
1.1 dB
OIP3 - 三阶截点
33 dBm
工作电源电流
65 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC8410
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Analog Devices
通道数量
1 Channel
输入返回损失
6 dB
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
1.3 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W 32V HF to 1.3GHz LDMOS transistor in STAC package
1:¥1,281.1488
5:¥1,250.345
10:¥1,219.2926
25:¥1,202.2409
参考库存:56277
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PPL/VCO MCM (9.6-10.8 GHz)
500:¥415.8626
参考库存:56282
无线和射频半导体
射频放大器 11-31 GHz pHEMT Driver amp
2:¥803.4413
6:¥777.5417
10:¥762.0268
26:¥730.9744
参考库存:56287
无线和射频半导体
射频放大器 2-28GHz LNA
100:¥1,127.1637
参考库存:56292
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz
50:¥542.7955
100:¥521.1334
参考库存:56297
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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