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无线和射频半导体
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D1212UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
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50
¥1,171.9682
58598.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DH
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:3901
无线和射频半导体
锁相环 - PLL HIGH PERFORMANCE RF SYNTHESIZER
1:¥228.373
5:¥218.994
10:¥210.6998
25:¥201.2417
250:¥171.5792
参考库存:10598
无线和射频半导体
射频放大器 DC-4.5GHz Gain16.5dB P1dB 15.5dBm NF3.1dB
1:¥30.1936
25:¥22.7469
100:¥17.8314
250:¥14.5996
3,000:¥11.30
参考库存:10745
无线和射频半导体
衰减器 50-6000MHz 7-Bit 31.75dB .25dB step
1:¥33.1203
25:¥29.1201
100:¥24.747
250:¥21.0519
2,500:¥12.9046
参考库存:11762
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 256K 125C T&R
1:¥41.6518
10:¥41.0303
25:¥38.0358
4,000:¥35.5724
参考库存:8589
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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