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无线和射频半导体
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BLF378

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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库存：24,210(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,110.338
1110.338
10
¥1,018.8984
10188.984
25
¥914.396
22859.9
50
¥809.8936
40494.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
18 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-262A
封装
Tray
配置
Single
工作频率
225 MHz
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
7 V
单位重量
30 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SL3S1013FTB0,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 UHF RFID GEN2 256bit
1:¥3.5369
10:¥2.8928
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
5,000:¥1.1639
参考库存:32732
MAX1005CEE+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频无线杂项 IF Undersampler
1:¥43.7197
10:¥41.7196
25:¥34.2729
50:¥29.6625
参考库存:4659
HMC820LP6CE
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
锁相环 - PLL PLL + VCO 2040-2540MHz /2 x2
1:¥131.6224
10:¥121.023
25:¥116.0284
100:¥102.2763
参考库存:3961
HMC575LP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 x2 Active mult SMT, 6 - 9 GHz Fout
1:¥322.4229
5:¥313.2812
10:¥300.8286
25:¥279.1552
参考库存:4643
LM1971M/NOPB
Texas Instruments
无线和射频半导体
衰减器 DIG CONTROLLED 62 DB AUDIO ATTENUATOR
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:6985

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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