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无线和射频半导体
HMC413QS16GE参考图片

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HMC413QS16GE

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库存:1,387(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥86.8292
86.8292
10
¥79.8345
798.345
25
¥76.5349
1913.3725
100
¥67.3932
6739.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QSOP-16
类型
Power Amplifier
技术
GaAs InGaP
工作频率
1.6 GHz to 2.2 GHz
P1dB - 压缩点
27 dBm
增益
23 dB
工作电源电压
3.6 V, 5 V
NF—噪声系数
5.5 dB
OIP3 - 三阶截点
40 dBm
工作电源电流
270 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC413
封装
Cut Tape
产品
InGaP/GaAs HBT
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
10 dB
Pd-功率耗散
1.56 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
暂无价格
参考库存:40848
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
暂无价格
参考库存:40853
无线和射频半导体
射频放大器 .1-40GHz Gain 12dB Return Loss 15dB
暂无价格
参考库存:40858
无线和射频半导体
射频放大器 DC-65GHz MMIC Amplifier PLFX
25:¥1,327.1059
50:¥1,240.5818
参考库存:40863
无线和射频半导体
预定标器 I.C. Div 4 Presclr Die DC-13GHz
暂无价格
参考库存:40868
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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