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无线和射频半导体
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PTAC240502FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥512.6019
25630.095
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
增益
14.3 dB
输出功率
50 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFR32FG12P431F1024GL125-CR
Silicon Labs
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Flex Gecko SoC BGA125 sub-GHz 20 dB proprietary 1024 kB 256 kB (RAM) 65GPIO SoC
2,500:¥73.224
参考库存:47276
ADF4106SRUZ-EP-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 6GHZ PLL SYNTHESIZER
1,000:¥54.8615
参考库存:47281
SW-207-PIN
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC
10:¥2,516.8942
参考库存:47286
RFFM8505TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 4.9 - 5.85 GHz 17.5dBm, 28dB
2,500:¥9.831
5,000:¥7.9891
参考库存:47291
STAC1214-250
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 1200-1400 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:47296

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