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无线和射频半导体
SD1275-01参考图片

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SD1275-01

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库存:24,811(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥292.4553
292.4553
10
¥283.3136
2833.136
25
¥272.782
6819.55
50
¥267.019
13350.95
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
8 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M113
封装
Tray
工作频率
160 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频无线杂项 Digital Baseband Chip for outdoor LoRaWAN macro gateways
1:¥452.5876
5:¥438.9146
10:¥425.1512
25:¥416.9361
500:¥329.1803
参考库存:4434
无线和射频半导体
射频发射器 315 433 868 915 MHz 射频发射器
1:¥20.7468
10:¥18.6676
100:¥15.2889
250:¥14.2945
2,500:¥10.3734
参考库存:19006
无线和射频半导体
射频放大器 .05-4GHz SSG 12.8dB NF .8dB GaAs
1:¥31.7304
25:¥24.2837
100:¥18.984
250:¥15.7522
1,000:¥12.3735
参考库存:26838
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
250:¥315.044
参考库存:4165
无线和射频半导体
射频放大器 3-6GHz GaAs Gain 18.6dB
1:¥26.1256
10:¥24.8148
100:¥22.8938
250:¥20.2835
2,500:¥8.7575
参考库存:8077
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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