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无线和射频半导体

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BFR 193L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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库存:77,518(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.07576
1075.76
15,000
¥0.791
11865
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR193L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
20 V
直流电流增益 hFE 最大值
70 at 30 mA at 8 V
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作频率
8000 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
580 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193L3E6327XT BFR193L3E6327XTMA1 SP000013557
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 Fully Int 13.56MHz RFID/NFC Xcvr
1:¥39.4144
10:¥35.4255
100:¥29.041
250:¥27.2782
3,000:¥19.8202
参考库存:81408
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High Speed CMOS w/VCO & Lock Detect
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5995
2,500:¥9.6841
参考库存:8700
无线和射频半导体
射频放大器 Low Distortion 3V 41mA Diff Amp
1:¥63.6981
10:¥57.3249
25:¥53.8671
50:¥50.6353
1,500:¥34.6571
参考库存:8912
无线和射频半导体
射频放大器 LNA, HIP3, 6-17GHz
1:¥273.4713
5:¥258.4875
10:¥252.2612
25:¥226.7571
参考库存:4764
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:2871
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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