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无线和射频半导体
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MRF172

  • Advanced Semiconductor, Inc.
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
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库存：3,259(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥437.988
437.988
10
¥364.99
3649.9
25
¥328.491
8212.275
50
¥291.992
14599.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
211-07-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RFGA2012TR7
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 500 - 2700 MHz 13.3 dBm, 14dB, 3.3V
1:¥11.9102
25:¥9.1417
100:¥7.1416
250:¥5.9212
500:¥5.2997
750:¥5.2997
参考库存:8658
BAP70-04W,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 TAPE-7 DIO-RFSS
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
参考库存:9245
MAX9988ETP+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 14dBm to 20dBm LO Buffer/Splitter
1:¥107.35
10:¥106.1183
参考库存:6062
BGM15HA12E6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 MULTI CHIP MODULES
1:¥7.684
10:¥6.4975
100:¥4.9946
500:¥4.4183
4,500:¥3.0849
参考库存:6714
BFS 17W H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:69766

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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