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无线和射频半导体
BF 2040 E6814参考图片

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BF 2040 E6814

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.72998
2189.94
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 mA
Vds-漏源极击穿电压
8 V
增益
23 dB
输出功率
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF2040
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
37 mS
通道模式
Depletion
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
零件号别名
BF2040E6814HTSA1 BF24E6814XT SP000012215
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Driver Amplifier One-stage
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
4,000:¥8.2264
参考库存:58355
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 200 MHz Clock Gen IC
1,500:¥20.2835
参考库存:58360
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 32kB, 4kB RAM, +20 dBm, programmable XCVR
1:¥43.4146
10:¥42.6462
25:¥41.8778
50:¥41.0303
参考库存:58365
无线和射频半导体
射频放大器 Track&Hold amp, Direct-Coupled, 4.5 GHz
100:¥2,654.1327
参考库存:58370
无线和射频半导体
上下转换器 Microwave HIR
1,500:¥619.4886
参考库存:58375
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    50万现货SKU

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