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无线和射频半导体
BF 2040 E6814参考图片

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BF 2040 E6814

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.86106
861.06
3,000
¥0.72998
2189.94
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 mA
Vds-漏源极击穿电压
8 V
增益
23 dB
输出功率
200 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single Dual Gate
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BF2040
类型
RF Small Signal MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
37 mS
通道模式
Depletion
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
零件号别名
BF2040E6814HTSA1 BF24E6814XT SP000012215
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 Amplifiers Sample Pack
2:¥2,322.5681
6:¥2,289.7529
10:¥2,224.3598
26:¥2,109.8682
参考库存:2032
无线和射频半导体
射频放大器 2.4Ghz Power Amp
1:¥8.6784
10:¥8.4524
25:¥7.0738
100:¥6.1472
参考库存:2514
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H300-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,128.2372
5:¥1,103.0382
10:¥1,080.5286
25:¥1,064.5391
150:¥1,002.8411
参考库存:24318
无线和射频半导体
射频放大器 40-1000MHz Gain 22dB NF 2.5dB GaAs
1:¥223.2993
25:¥210.3156
100:¥198.8574
250:¥187.4896
参考库存:2516
无线和射频半导体
锁相环 - PLL RF PLL SYNTHESIZER 0.60" SQ SMD
1:¥410.9358
5:¥390.4263
10:¥369.8264
25:¥328.717
参考库存:2048
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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