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无线和射频半导体
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MMBT2222A-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA
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10
¥1.1978
11.978
100
¥0.54579
54.579
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBT2222A
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极连续电流
600 mA
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
300 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
最大直流电集电极电流
600 mA
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NBC12430AFNR2G
ON Semiconductor
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30:¥149.9171
50:¥146.3802
100:¥139.3064
250:¥127.8595
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EFR32FG12P232F1024GL125-C
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260:¥60.4776
参考库存:45125

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