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无线和射频半导体
THS9000DRWR参考图片

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THS9000DRWR

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 射频放大器 5 MHz to 400MHz Casadable Amp
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数量单价合计
3,000
¥8.2264
24679.2
6,000
¥7.91
47460
9,000
¥7.6049
68444.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-6
类型
Cascadable Amplifier
工作频率
50 MHz to 400 MHz
P1dB - 压缩点
20.6 dBm
工作电源电压
2.7 V to 5.5 V
NF—噪声系数
4 dB
测试频率
350 MHz
OIP3 - 三阶截点
35 dBm
工作电源电流
100 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
THS9000
封装
Reel
带宽
400 MHz
商标
Texas Instruments
通道数量
1 Channel
开发套件
THS9000EVM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
3000
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5 V
电源电压-最小
2.7 V
单位重量
25.700 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 12 GHz
暂无价格
参考库存:40406
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:40411
无线和射频半导体
射频前端 2.5 GHz PA 3.3V
2,500:¥7.91
参考库存:40416
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
暂无价格
参考库存:40421
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC 1 Watt pow amp, 37-40 GHz
暂无价格
参考库存:40426
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    50万现货SKU

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