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无线和射频半导体
BFR380L3E6327XTMA1参考图片

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BFR380L3E6327XTMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.2487
22.487
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.79891
798.91
15,000
¥0.5763
8644.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR380L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
14 GHz
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
80 mA
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
380L3 BFR BFR38L3E6327XT E6327 SP000013562
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5566ACPZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 6 GHz Ultrahigh Dyn Rg Diff Amp
1:¥97.5868
10:¥88.592
25:¥83.2132
50:¥80.1396
1,500:¥66.6248
参考库存:7715
HMC1065LP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
上下转换器 27-34GHz Downconverter
1:¥395.8051
5:¥383.8949
10:¥371.8265
25:¥359.8372
参考库存:3987
TGA2611-SM
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 2-6GHz NF 1 dB P1dB 18 dBm
1:¥868.292
25:¥722.296
100:¥607.036
参考库存:3884
CC1110F8RHHR
Texas Instruments
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Sub-1GHz SoC w/ MCU & 16kB Flash memory
1:¥37.6516
10:¥33.8887
100:¥27.7415
250:¥26.0465
2,500:¥18.9049
参考库存:16021
BAP65-02,115
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN 30V 100MA
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.791
参考库存:20898

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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