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无线和射频半导体
QPD1017参考图片

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QPD1017

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
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库存:40,090(价格仅供参考)
数量单价合计
18
¥4,072.52
73305.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
20 A
输出功率
460 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
511 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1017PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
1:¥945.2111
参考库存:4597
无线和射频半导体
锁相环 - PLL RF synthesizer with RF1/IF output
1:¥54.3304
10:¥51.3246
25:¥49.7878
50:¥48.251
参考库存:7559
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ128KSOC Ind85C AVRZLINKMCU 8BIT
1:¥32.883
10:¥32.431
25:¥29.8094
参考库存:7296
无线和射频半导体
射频前端 RF Front-End Trans mit Pwr Amp
1:¥12.9837
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.7631
3,000:¥5.9438
参考库存:14183
无线和射频半导体
射频放大器 9.3-9.5 GHz GaN PA
1:¥3,718.2085
5:¥3,678.5568
10:¥3,606.4063
25:¥3,578.7439
参考库存:4570
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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