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无线和射频半导体
BFP196WNH6327XTSA1参考图片

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BFP196WNH6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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库存:20,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.147
21.47
100
¥0.99101
99.101
1,000
¥0.76049
760.49
3,000
¥0.64523
1935.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
150 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
7.5 GHz
输出功率
-
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
150 mA
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
196 BFP H6327 SP001643166 WN
单位重量
6.740 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC .1-6.0GHz DPDT GaAs IL .6dB Iso 23.5dB
1:¥6.3054
10:¥5.6952
25:¥4.9155
100:¥4.4409
3,000:¥3.6612
参考库存:45684
无线和射频半导体
射频前端 Contactless ReaderIC
1:¥47.4826
10:¥40.341
100:¥34.9622
250:¥33.1994
参考库存:10826
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:3838
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4
1:¥150.3013
10:¥138.1538
25:¥132.0857
50:¥124.4017
500:¥100.8186
参考库存:5485
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODE
1:¥2.147
10:¥1.5142
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:91727
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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