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无线和射频半导体
F0480NBGI参考图片

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F0480NBGI

  • IDT
  • 新批次
  • 射频放大器 Digital Var Gain Amp 13dB 400 TO 2700 MHz
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库存:8,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥88.592
88.592
10
¥79.7554
797.554
25
¥72.6929
1817.3225
50
¥67.3141
3365.705
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
IDT (Integrated Device Technology)
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TQFN-32
类型
Digital Variable Gain Amplifier
技术
Silicon
工作频率
400 MHz to 2.7 GHz
P1dB - 压缩点
22.2 dBm
增益
13 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
4 dB
OIP3 - 三阶截点
41.5 dBm
工作电源电流
100 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 105 C
系列
F0480
封装
Tray
商标
IDT
通道数量
1 Channel
输入返回损失
15 dB
隔离分贝
18 dB
Pd-功率耗散
1.5 W
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
490
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商标名
FlatNoise
零件号别名
IDTF0480NBGI8
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
衰减器 5-bit attenuator with 2 dB bits
1:¥81.5295
10:¥74.919
25:¥71.8454
100:¥63.3139
500:¥58.9408
参考库存:4625
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
1:¥748.7267
10:¥701.9334
25:¥685.4919
50:¥669.1182
参考库存:3117
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC, 2.4 GHz, 256 kB flash, 32 kB RAM, 16.5 dBm, QFN-48, mesh
1:¥45.3356
10:¥42.8044
25:¥41.5727
50:¥40.2619
2,500:¥33.9678
参考库存:15149
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
1:¥404.1784
250:¥404.1784
参考库存:5716
无线和射频半导体
射频前端 169-170MHz FEM Ip1dB 15dB IL .4dB
1:¥24.3628
10:¥21.7412
25:¥19.5942
100:¥17.8314
3,000:¥10.9836
参考库存:6423
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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