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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
类型	RF Amplifier
技术	GaAs
工作频率	20 GHz
P1dB - 压缩点	19 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	2.5 dB
OIP3 - 三阶截点	31 dBm
工作电源电流	60 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC463G
封装	Gel Pack
频率范围	2 GHz to 20 GHz
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	15 dB
Pd-功率耗散	1.85 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	25
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	3 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BFP193E6327HTSA1	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR	1:¥3.6838 10:¥2.6103 100:¥1.1978 1,000:¥0.92208 3,000:¥0.78422	参考库存:34931
RN142ZS8ATE61	ROHM Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 30V; 50mA PIN Diode	1:¥5.9212 10:¥4.9155 100:¥3.164 1,000:¥2.5312 3,000:¥2.147	参考库存:18428
MA4PH236-1072T	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 Rs=3.0ohm Ct=.5pF CERMACHIP	1:¥29.9676 10:¥23.1311 100:¥21.0519 250:¥19.0518 1,500:¥13.221	参考库存:10650
MRFE6VP100HSR5	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM	1:¥691.0967 5:¥677.7288 10:¥655.287 25:¥627.5568 50:¥618.9462	参考库存:4087
MMBTH11	ON Semiconductor / Fairchild	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor	1:¥2.2261 10:¥1.5255 100:¥0.63732 1,000:¥0.43844 3,000:¥0.33787	参考库存:99339