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产品分类

无线和射频半导体
PD85035STR-E参考图片

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PD85035STR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:49,813(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.1822
254.1822
5
¥251.5719
1257.8595
10
¥234.4411
2344.411
25
¥223.9095
5597.7375
600
¥181.8057
109083.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 11-17GHz Gain 27dB P1dB 27dBm
1:¥338.096
25:¥315.044
参考库存:3630
无线和射频半导体
射频混合器 GaAs MMIC I/Q mix, 19 - 33 GHz
50:¥342.5482
100:¥320.4228
250:¥309.4392
参考库存:3847
无线和射频半导体
射频放大器 2.4 GHz ISM SiGe:C low-noise amp
1:¥5.2206
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:66354
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
15,000:¥1.921
参考库存:78476
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 32pin 256K T&R
1:¥36.1148
10:¥35.5724
25:¥32.9621
5,000:¥30.8151
参考库存:4258
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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