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无线和射频半导体
RFM12U7X(TE12L,Q)参考图片

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RFM12U7X(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
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库存:49,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥70.1504
70.1504
10
¥63.167
631.67
25
¥57.5509
1438.7725
100
¥51.9461
5194.61
1,000
¥37.8776
37877.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
10.8 dB
输出功率
12 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
RFM12
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥737.664
5:¥724.1379
10:¥691.56
25:¥668.508
100:¥622.4831
150:¥570.3788
参考库存:3226
无线和射频半导体
射频前端 Configurable AFE
1:¥35.4255
10:¥31.8095
100:¥26.0465
250:¥24.4306
参考库存:3403
IDT
无线和射频半导体
RF 开关 IC High Linearity Broadband SP2T 5MHz to 10GHz
1:¥20.5208
10:¥16.5206
100:¥14.9047
250:¥13.221
参考库存:32480
无线和射频半导体
射频前端 5G FEM, 2.5mmx2.5mm, 3.3V
1:¥17.3681
10:¥15.594
25:¥13.9894
100:¥12.5204
参考库存:8232
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 128K T&R
1:¥35.7306
10:¥35.1882
25:¥32.657
100:¥32.5779
4,000:¥30.51
参考库存:24786
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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