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无线和射频半导体
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LET9045

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
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1
¥386.7312
386.7312
5
¥378.0528
1890.264
10
¥363.295
3632.95
25
¥351.543
8788.575
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
技术
Si
增益
18.5 dB
输出功率
45 W
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
工作频率
1 GHz
系列
LET9045
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC751LC4TR
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp SMT, 17 - 27 GHz
100:¥324.9541
200:¥315.5864
参考库存:53247
AD6674BCPZ-1000
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 100/200MHz Dual Band Div.IF Rec 204B
1:¥5,707.291
5:¥5,628.304
参考库存:53252
NJM2292V-TE1
NJR
无线和射频半导体
射频无线杂项 Narrow Band FM IF IC
1:¥9.2208
10:¥8.2264
25:¥6.9156
50:¥6.2037
2,000:¥5.537
参考库存:53257
SD3932
STMicroelectronics
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥1,246.729
5:¥1,216.7614
10:¥1,186.4887
25:¥1,169.889
参考库存:53262
AFT26H160-4S4R3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S
250:¥704.3177
参考库存:53267

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