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无线和射频半导体
HMC814参考图片

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HMC814

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 x2 Active mult Chip, 13 - 24.6 GHz Fout
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库存:50,052(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥325.1914
16259.57
100
¥304.2073
30420.73
250
¥293.687
73421.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
Multiplier
技术
GaAs
工作频率
24.6 GHz
P1dB - 压缩点
-
增益
-
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
-
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
88 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC814G
封装
Gel Pack
频率范围
13 GHz to 24.6 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
2 Channel
输入返回损失
7 dB
Pd-功率耗散
782 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
4.5 V
单位重量
490 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
预定标器 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 12 GHz
暂无价格
参考库存:40406
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:40411
无线和射频半导体
射频前端 2.5 GHz PA 3.3V
2,500:¥7.91
参考库存:40416
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 35-45 GHz
暂无价格
参考库存:40421
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT MMIC 1 Watt pow amp, 37-40 GHz
暂无价格
参考库存:40426
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    50万现货SKU

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