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无线和射频半导体
PD57060TR-E参考图片

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PD57060TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:50,591(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
600
¥311.6653
186999.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 200mW Sngl-Chip Txr 868/915MHz ISM Bands
1:¥48.6352
25:¥34.6571
250:¥32.2728
1,000:¥29.2783
参考库存:5054
无线和射频半导体
射频放大器 10MHz - 500MHz VCO Buffer Amp
1:¥21.8203
10:¥19.5942
25:¥18.5207
50:¥15.4471
2,500:¥9.7632
参考库存:6556
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
1:¥579.6787
5:¥569.0793
10:¥554.3215
25:¥543.4848
参考库存:4073
无线和射频半导体
射频混合器 Dual WB Active Mixer in XFCB3 "DRx"
1:¥121.7914
10:¥110.5705
25:¥103.8922
50:¥100.0502
1,500:¥71.077
参考库存:6530
无线和射频半导体
PIN 二极管 HIGH FREQUENCY
1:¥3.5369
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
参考库存:18627
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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