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无线和射频半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-32
类型	Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	DC to 15 GHz
P1dB - 压缩点	26.5 dBm
增益	19 dB
工作电源电压	8 V
NF—噪声系数	3 dB
OIP3 - 三阶截点	35 dBm
工作电源电流	300 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC659G
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	20 dB
Pd-功率耗散	3.3 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

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