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无线和射频半导体
MRFE6VP5600HSR5参考图片

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MRFE6VP5600HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS
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库存:51,252(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,028.4243
1028.4243
5
¥1,008.4459
5042.2295
10
¥975.1787
9751.787
25
¥933.9111
23347.7775
50
¥921.0856
46054.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935319677178
单位重量
8.488 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.85GHzGain 33dB Pout 23dBm
1:¥23.5153
250:¥21.5943
500:¥18.8258
1,000:¥15.6731
2,500:¥12.5995
参考库存:14989
无线和射频半导体
射频前端 Quad-CH Intg AFE
1:¥254.4986
5:¥243.967
10:¥234.7462
25:¥224.2146
250:¥191.2525
参考库存:5056
IDT
无线和射频半导体
射频混合器
1:¥90.8294
10:¥82.5239
25:¥76.3767
50:¥74.3088
参考库存:5443
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB
1:¥291.6078
10:¥280.5451
参考库存:3950
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 5-Bit dig Phase Shifter SMT, 15 - 18.5
1:¥1,219.9932
5:¥1,202.7042
10:¥1,168.3522
25:¥1,108.2588
参考库存:3122
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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