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无线和射频半导体
PD55008TR-E参考图片

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PD55008TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:53,022(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
600
¥83.3714
50022.84
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 860 to 930MHz RF FEM High Gain
1:¥22.6678
10:¥20.2044
25:¥18.2156
100:¥16.5997
8,000:¥9.831
参考库存:5402
无线和射频半导体
射频放大器 FEM/LNA for GNSS 1559-1606MHz
1:¥4.8364
10:¥3.8872
100:¥2.9832
500:¥2.6329
3,000:¥1.8532
参考库存:46849
无线和射频半导体
射频放大器 2.7-3.5GHz 12W GaN PAE > 52% Gain 31dB
1:¥1,037.34
25:¥791.452
100:¥607.036
参考库存:3501
无线和射频半导体
RF 开关 IC 50-6000MHz DP3T
1:¥11.6842
25:¥7.6049
100:¥6.5314
参考库存:5388
无线和射频半导体
射频放大器 860 - 894 MHZ 27DBM 7X7 MCM LINEAR SMALL
1:¥83.2923
10:¥76.3767
25:¥69.382
50:¥62.4664
2,500:¥43.0304
参考库存:4775
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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