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无线和射频半导体
PD55008TR-E参考图片

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PD55008TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥120.7179
120.7179
10
¥110.9547
1109.547
25
¥106.3443
2658.6075
100
¥93.7448
9374.48
600
¥83.3714
50022.84
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55008-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC902
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 Low Noise Amplifier SMT,5-10 GHz
50:¥286.6132
100:¥268.0925
250:¥258.8717
参考库存:3071
MICRF002YM
Microchip Technology / Micrel
无线和射频半导体
射频接收器 (Not Recommended for New Designs)300-440MHz RF Receiver With Shutdown
1:¥19.6733
10:¥19.3682
25:¥18.0574
100:¥16.3624
参考库存:3978
F2250NLGK
IDT
无线和射频半导体
衰减器 Wideband Variable RF 1.4dB 2K MHz 33.6dB
1:¥60.8618
10:¥55.7881
25:¥50.7144
50:¥48.1832
参考库存:6035
AT-913(40)
Hirose Connector
无线和射频半导体
衰减器 LP ATTENUATOR 13DB
1:¥166.3586
5:¥157.3638
10:¥150.1431
25:¥143.849
参考库存:2952
ADF4151BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N/ Integer-N
1:¥45.3356
10:¥40.8043
25:¥38.3409
50:¥36.0357
参考库存:3124

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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