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无线和射频半导体
PD84010-E参考图片

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PD84010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
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库存:53,232(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥126.6278
126.6278
10
¥116.4917
1164.917
25
¥111.644
2791.1
100
¥98.3552
9835.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.3 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
相位探测器 / 移相器 8-12GHz 6 Bit LSB 5.625 Deg.
25:¥437.988
100:¥361.148
250:¥330.412
参考库存:1298
无线和射频半导体
预定标器 DC-15GHz Prog Integer-N 预定标器
1:¥949.7424
2:¥931.1426
5:¥900.0224
10:¥887.728
参考库存:1900
无线和射频半导体
射频放大器 SMT, lo Noise amp, DC - 20 GHz
1:¥1,067.85
5:¥1,048.4818
10:¥1,017.4407
25:¥981.3259
参考库存:1467
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PSoC4
1:¥56.8616
10:¥51.1777
25:¥46.6464
50:¥43.1095
参考库存:14424
无线和射频半导体
射频接收器 Precision, Ultra-Fast, Low IQ Overvoltage Protector with OVLO 5.2V
1:¥11.1418
10:¥10.5316
25:¥8.3733
50:¥7.9891
2,500:¥5.0511
参考库存:13306
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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