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无线和射频半导体
PD84010-E参考图片

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PD84010-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann
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数量单价合计
1
¥126.6278
126.6278
10
¥116.4917
1164.917
25
¥111.644
2791.1
100
¥98.3552
9835.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.3 dB
输出功率
10 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD84010-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 .5-1GHz Iso 50dB -55C to 85C
10:¥6,504.8902
参考库存:43496
无线和射频半导体
射频接收器 AM/FM/HD Radio receiver with RDS
2,500:¥70.0826
参考库存:43501
无线和射频半导体
射频检测器 RF Power Detector & Controller
350:¥15.4471
500:¥15.142
1,000:¥14.5205
参考库存:43506
无线和射频半导体
射频前端 4Ch High Speed Ultrasound Pulser
2,000:¥89.8237
参考库存:43511
无线和射频半导体
射频前端 2.4GHz TO 2.5GHz
2,500:¥19.7524
5,000:¥16.4415
参考库存:43516
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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