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无线和射频半导体
A2T18S260W12NR3参考图片

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A2T18S260W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
250
¥1,369.2097
342302.425
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.7 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L-4
封装
Reel
工作频率
1.805 GHz to 1.88 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935313167528
单位重量
3.796 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AD6643BCPZ-200
Analog Devices
无线和射频半导体
射频接收器 IC 11 Bit IF Diversity 3G Rcvr
1:¥743.9694
5:¥730.4433
10:¥703.312
25:¥666.1237
参考库存:3202
ART915X100202TO-IC
ABRACON
无线和射频半导体
RFID应答器 915MHz 1.6 meter range
1:¥59.1668
10:¥53.2456
100:¥43.7988
参考库存:4149
SZM3066Z
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 3.3-3.8GHz SSG 34dB NF 5db P1dB 33.5dBm
1:¥156.2903
25:¥119.7122
100:¥93.5188
250:¥77.4502
500:¥69.5402
1,000:¥61.0087
参考库存:4841
SMA3109-TL-E
ON Semiconductor
无线和射频半导体
射频放大器 High Freq Wideband Amplifier MMIC
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7628
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1526
参考库存:16873
ATMEGA128RFA1-ZF
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 2.4GHZ 802.15.4 128K SOC Industrial
1:¥52.4094
10:¥51.641
25:¥47.8668
参考库存:4225

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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