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无线和射频半导体
PD85015TR-E参考图片

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PD85015TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
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库存:55,299(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥156.9118
156.9118
5
¥155.2959
776.4795
10
¥144.7643
1447.643
25
¥138.2329
3455.8225
600
¥112.2655
67359.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD85015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
59 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 4.9-5.9GHz NF 1.5dB Gain 13dB IIP3 7dBm
1:¥8.1473
10:¥6.5427
100:¥5.0285
500:¥4.4409
3,000:¥3.1188
参考库存:23748
无线和射频半导体
射频放大器 .5-4.0GHz NF 1.7dB 5Volt OIP3 40.5 dBm
1:¥49.5618
25:¥37.9567
100:¥29.6625
250:¥24.5888
2,500:¥16.9839
参考库存:14895
无线和射频半导体
射频收发器 射频收发器
1:¥81.2244
10:¥74.693
25:¥70.851
100:¥63.0879
250:¥60.0143
参考库存:6137
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC 8BIT 128K NON ADC 8KB RA
1:¥66.9299
10:¥60.4776
25:¥54.3304
100:¥50.1042
参考库存:24119
无线和射频半导体
RF 开关 IC 5-1800MHz SPDT IL .4dB @ 900MHz
1:¥7.5258
10:¥6.78
25:¥5.8647
100:¥5.2997
3,000:¥3.1301
参考库存:20691
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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