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无线和射频半导体
A2T21H410-24SR6参考图片

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A2T21H410-24SR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
150
¥1,282.0754
192311.31
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A, 2.7 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
72 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4L2L-6
封装
Reel
工作频率
2.11 GHz to 2.17 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935312756128
单位重量
8.604 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC752LC4TR
Analog Devices / Hittite
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9,000:¥0.26103
24,000:¥0.24634
45,000:¥0.20001
参考库存:58630

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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