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无线和射频半导体
D1218UK参考图片

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D1218UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 60W-12.5V-175MHz PP
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数量单价合计
1
¥1,074.8334
1074.8334
10
¥949.1322
9491.322
25
¥842.2455
21056.1375
50
¥798.2094
39910.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
60 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DD
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 AFIC901N/HVQFN24///REEL 7 Q2 DP
1:¥25.5832
10:¥22.8938
25:¥20.5886
50:¥19.5942
1,000:¥12.2153
参考库存:6057
无线和射频半导体
射频前端 5GHz FEM w/ Power Detector
1:¥18.8258
10:¥16.9839
25:¥15.142
100:¥13.6052
3,000:¥7.7631
参考库存:19734
无线和射频半导体
射频检测器
1:¥134.244
10:¥121.8705
25:¥112.9548
50:¥106.4234
1,000:¥78.6819
参考库存:9406
无线和射频半导体
射频收发器 1.9-3.6V 433/868/ 915MHz TRNSCVR
1:¥32.2728
10:¥25.8996
100:¥23.5944
250:¥21.2892
2,500:¥15.2098
参考库存:28608
无线和射频半导体
射频放大器 1-8GHz 10 Watt GaN
10:¥11,526.00
参考库存:4790
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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