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无线和射频半导体
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D1010UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 125W-28V-500MHz PP
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数量单价合计
1
¥1,536.6418
1536.6418
10
¥1,353.9208
13539.208
25
¥1,229.3609
30734.0225
50
¥1,079.828
53991.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
10 dB
输出功率
125 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
高度
5.08 mm
长度
34.03 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
22.22 mm
商标
Semelab / TT Electronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 28-38 GHz .4W GaN Amplifier
100:¥284.308
300:¥258.9508
参考库存:3218
无线和射频半导体
调节器/解调器 HBT Vector Modulator SMT, 1.8 - 2.7 GHz
1:¥210.7676
5:¥199.2416
10:¥194.4052
25:¥174.7319
参考库存:2250
无线和射频半导体
射频放大器 5-20GHz MMIC Amplifier w/Int Bias
50:¥330.4911
100:¥320.1968
200:¥308.8968
参考库存:2347
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU 64 kB M0+, USB, +13 dBm EZRadioPRO, QFN48 wireless MCU
1:¥33.2672
10:¥31.4253
25:¥30.51
50:¥29.5834
参考库存:8464
无线和射频半导体
射频放大器 2.4-2.5GHz GaAs HBT 3.3Volt NF 7dB max
1:¥27.12
10:¥24.2837
25:¥21.8203
100:¥19.8993
3,000:¥12.2944
参考库存:2296
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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