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无线和射频半导体
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A2T21S260W12NR3

  • NXP / Freescale
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1
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624.325
5
¥612.1888
3060.944
10
¥591.9731
5919.731
25
¥566.921
14173.025
250
¥508.3757
127093.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
17.9 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
零件号别名
935339757528
单位重量
3.809 g
商品其它信息
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