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无线和射频半导体
PD57018TR-E参考图片

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PD57018TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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库存:59,274(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
600
¥178.1106
106866.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
增益
16.5 dB
输出功率
18 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57018-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 MMIC pow amp SMT, 3 - 4 GHz
1:¥131.3173
10:¥120.7179
25:¥115.8024
100:¥101.9712
参考库存:4168
无线和射频半导体
射频混合器 LO 4-16GHz NF <6.0dB IF DC-2GHz
1:¥5,892.7014
参考库存:3930
无线和射频半导体
PIN 二极管 IL .1dB @-10dBm Max CW Pwr 2W
100:¥18.0574
300:¥16.2155
500:¥15.368
1,000:¥12.9046
2,500:¥12.1362
参考库存:7927
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Ultralow-Pwr MCU SOC
1:¥51.4828
10:¥46.5673
25:¥43.1095
100:¥38.5782
250:¥36.5781
参考库存:5279
无线和射频半导体
射频放大器 2.4GHz P1dB 32dBm 5.0Volt 802.11bgn
1:¥12.8368
10:¥10.3734
100:¥9.2999
250:¥8.2942
3,000:¥5.3562
参考库存:17796
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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