LT5511EFE#PBF原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频混合器
RoHS	是
射频	10 MHz to 3000 MHz
NF—噪声系数	15 dB
LO频率	30 MHz to 2700 MHz
中频	1 MHz to 300 MHz
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-16
封装	Tube
系列	LT5511
商标	Analog Devices
增益	0 dB
OIP3 - 三阶截点	17 dBm
工作电源电流	56 mA
工作电源电压	4 V to 5.25 V
P1dB - 压缩点	5.9 dBm
产品类型	RF Mixer
工厂包装数量	95
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	104 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RFFM4555SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 4.9-5.925GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac	1:¥9.4468 100:¥9.4468 200:¥8.6784	参考库存:3818
QPA1003P	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 QPA1003P, 1-8 GHZ 10W PA - EHS PKG	1:¥11,526.00	参考库存:25622
QPA9501SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 5.1-5.9GHz Gain 32dB P1dB 32dBm	1:¥61.3929 25:¥47.0306 100:¥36.725	参考库存:4135
HMC565LC5TR-R5	Analog Devices	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 lo Noise amp SMT, 6 - 20 GHz	1:¥393.1157 5:¥381.9739 10:¥366.7528 25:¥340.4012 500:¥292.1502	参考库存:25629
A3G20S250-01SR3	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G20S250-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP	1:¥725.8329 5:¥702.3967 10:¥688.3282 25:¥644.9927 100:¥622.7882 250:¥599.4311	参考库存:4582