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无线和射频半导体
AFT18S230SR5参考图片

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AFT18S230SR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
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库存:44,273(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥786.2992
39314.96
100
¥731.2908
73129.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19 dB
输出功率
50 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-6
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.805 GHz to 1.88 GHz
系列
AFT18S230S
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935311128178
单位重量
4.611 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 2400-2500MHz 3.0V to 4.8V
1:¥54.8615
100:¥48.6352
250:¥40.8043
500:¥34.4989
2,500:¥18.8258
参考库存:16474
无线和射频半导体
衰减器 4pin 50ohm +/- 0.3dB Attenuation 4dB
1:¥1.7628
50:¥1.6159
100:¥1.3108
500:¥1.2317
4,000:¥0.92208
参考库存:23726
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
1:¥1,536.80
25:¥1,329.332
参考库存:4128
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Bluetooth Low Energy 4.2 SoC optimized for A4WP and HCI applications 12 GPIOs in WL-CSP34 and 0.4mm ball pitch package
1:¥22.3627
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
5,000:¥9.379
参考库存:9200
无线和射频半导体
PIN 二极管 PIN DI SERIES RS 4.5 OHM
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.10627
9,000:¥1.09836
参考库存:17747
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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