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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
A3T23H300W23SR6	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	1:¥737.664 5:¥724.1379 10:¥691.56 25:¥668.508 100:¥622.4831 150:¥570.3788	参考库存:3226
LMP91051MT/NOPB	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 Configurable AFE	1:¥35.4255 10:¥31.8095 100:¥26.0465 250:¥24.4306	参考库存:3403
F2976NEGK	IDT	无线和射频半导体	PDF数据手册	RF 开关 IC High Linearity Broadband SP2T 5MHz to 10GHz	1:¥20.5208 10:¥16.5206 100:¥14.9047 250:¥13.221	参考库存:32480
LX5586LL	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 5G FEM, 2.5mmx2.5mm, 3.3V	1:¥17.3681 10:¥15.594 25:¥13.9894 100:¥12.5204	参考库存:8232
ATSAMR21G17A-MUT	Microchip Technology / Atmel	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU SAMR21 48pin 128K T&R	1:¥35.7306 10:¥35.1882 25:¥32.657 100:¥32.5779 4,000:¥30.51	参考库存:24786