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无线和射频半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	290 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	5.1 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113821

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NB3N3002DTG	ON Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL CLK GEN LVPECL DIFF OUT	1:¥27.5042 10:¥23.3571 100:¥20.2835 250:¥19.21	参考库存:4557
BFU530R	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor	1:¥3.4578 10:¥2.8476 100:¥1.7402 1,000:¥1.3447 3,000:¥1.1413	参考库存:31814
TGF2060	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm	100:¥56.3192 300:¥52.6354 500:¥49.1776 1,000:¥45.9458	参考库存:3076
SN65LVDS150PW	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL TM PLL f Mult	1:¥91.1345 10:¥83.7556 25:¥79.3712 100:¥70.7719	参考库存:2973
MA4PK3000	MACOM	无线和射频半导体	PDF数据手册	PIN 二极管 3000Vr 1.2Vf Ct=3.2pF -65C +175C	1:¥625.5567 5:¥607.3411	参考库存:2645