NJG1138HA8-TE1原装正品_库存数量_PDF手册

无线和射频半导体

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3,000	¥7.684	23052

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	NJR
产品种类	射频放大器
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	USB-6-A8
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	880 MHz
P1dB - 压缩点	- 8.5 dBm
增益	16 dB
工作电源电压	2.8 V
NF—噪声系数	1.4 dB
工作电源电流	10 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	NJG1138
封装	Reel
商标	NJR
Pd-功率耗散	150 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	3000
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
商标名	NJG113

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NLB-300-SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-10GHz Gain 13dB P1dB 11.1dBm@2GHz	1:¥26.9731 25:¥20.6677 100:¥16.1364	参考库存:4563
MMBT2222A-G	Comchip Technology	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA	1:¥1.8419 10:¥1.1978 100:¥0.54579 1,000:¥0.34578 3,000:¥0.26103	参考库存:21570
ATN3580-10	Skyworks Solutions, Inc.	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 Attn=10db -55C +150C RL=15dB @ 40GHz	100:¥34.352 300:¥31.4253 500:¥28.589 1,000:¥25.7414	参考库存:5162
SD2943W	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz	1:¥1,051.7814 5:¥1,031.1137 10:¥983.0887 25:¥962.421	参考库存:4414
HMC444LP4E	Analog Devices / Hittite	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 Active x8 mult SMT, 9.9 - 11.2 GHz Fout	1:¥643.6141 5:¥622.8673 10:¥610.4147 25:¥585.5208	参考库存:4181