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无线和射频半导体
PD85035STR1-E参考图片

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PD85035STR1-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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数量单价合计
600
¥181.8057
109083.42
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RF2052TR13
Qorvo
无线和射频半导体
射频混合器 .3-2.5GHz Gain -2dB NF 12dB Hi
1:¥78.6028
25:¥60.2403
100:¥47.0984
250:¥39.0302
2,500:¥26.894
参考库存:11301
SX1280IMLTRT
Semtech
无线和射频半导体
射频收发器 Long range 2.4 GHz Wireless Transceiver
1:¥53.2456
10:¥48.5674
25:¥44.2621
100:¥39.8777
3,000:¥28.0466
参考库存:30988
TGA2624
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 9*10GHz 18W GaN P1dB > 38dBm
10:¥2,151.52
30:¥1,744.268
参考库存:3780
DSG9500-000
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 Planar Beam-Lead Diode
100:¥30.5778
300:¥27.4364
500:¥26.0465
1,000:¥21.9785
2,500:¥20.5886
参考库存:4682
NT3H2211W0FHKH
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
RFID应答器 NT3H2211W0FHK/XQFN8(U)///REEL 7 Q3 NDP
1:¥7.458
10:¥6.3054
100:¥4.8364
500:¥4.2827
4,000:¥2.9945
参考库存:53649

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    50万现货SKU

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