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无线和射频半导体
A2T21S161W12SR3参考图片

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A2T21S161W12SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S161W12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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库存：56,613(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥438.7564
109689.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.5 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
19.1 dB
输出功率
38 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935363146128
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BGA616H6327XTSA1
Infineon Technologies
无线和射频半导体
射频放大器 RF SILICON MMIC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7574
500:¥5.9777
1,000:¥4.7234
3,000:¥4.7234
参考库存:21600
PAT1220-C-4DB-T5
Susumu
无线和射频半导体
衰减器 4dB 50ohm
1:¥2.7685
10:¥2.3843
25:¥2.147
100:¥1.8645
5,000:¥1.02152
参考库存:69342
BAR 64-02V H6327
Infineon Technologies
无线和射频半导体
PIN 二极管 RF DIODE
1:¥2.147
10:¥1.5142
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.33787
参考库存:106234
MA4P7455CK-287T
MACOM
无线和射频半导体
PIN 二极管 Ls=1.4nH Cp=.12pF Cmn Cathode SOT-23
1:¥7.5258
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.7968
3,000:¥2.486
参考库存:38781
RFPP3870
Qorvo
无线和射频半导体
射频放大器 45-1218MHz Hybrid Push/ Pull Amp.
1:¥325.7225
25:¥308.0493
100:¥289.5286
参考库存:2678

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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