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无线和射频半导体
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D1211UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-500MHz SE
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17189.56
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¥170.743
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
10 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
10 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ATA8203P3C-TKQY
Microchip Technology / Atmel
无线和射频半导体
射频接收器 Industrial RF DATA CONTROL Receiver
1:¥37.3465
10:¥33.5836
25:¥30.4309
50:¥28.589
参考库存:26258
MLX71121KLQ-AAA-000-SP
Melexis
无线和射频半导体
射频接收器 Wireless sensing
1:¥28.3517
10:¥22.7469
100:¥20.7468
250:¥18.7467
参考库存:4301
CC1000PW
Texas Instruments
无线和射频半导体
射频收发器 300-1000MHz LW PWR TRANS. CHIP
1:¥89.9028
10:¥82.6821
25:¥78.4559
100:¥69.8453
参考库存:4213
RFFM6904SR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 915MHz Tx/RX Module 868/900MHz ISM Band
1:¥60.7827
100:¥53.8671
参考库存:4290
BF246A
Central Semiconductor
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch Amplifier 39Vdg -30V 10mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:15092

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    50万现货SKU

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