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无线和射频半导体
PTFB213208FV-V2-R2参考图片

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PTFB213208FV-V2-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:58,298(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,281.0019
320250.475
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
17 dB
输出功率
320 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频发射器 RADIO TRANSMITTER
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.7575
500:¥7.6162
3,000:¥5.876
参考库存:15775
无线和射频半导体
射频收发器 Bluetooth 4.2 IC 0dBm 3.6V 3.3mA
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
2,000:¥15.368
参考库存:15117
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Network Process for MCU Applications
1:¥62.8506
10:¥56.7825
25:¥52.5563
100:¥47.0306
250:¥43.5728
参考库存:5954
无线和射频半导体
射频放大器 .1-2.7GHz GaAs Gain 39.5dB max.
1:¥17.8314
10:¥16.9839
100:¥15.6731
250:¥13.8312
2,500:¥5.9777
参考库存:93001
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC CC3200R1M2RGCR
1:¥78.8401
10:¥71.303
25:¥66.0033
100:¥59.0086
2,500:¥43.1095
参考库存:20728
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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