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无线和射频半导体
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CGHV60075D5

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
75 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
41.6 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
应用
-
配置
-
高度
100 um
长度
3000 um
工作频率
6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
820 um
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 10 V, + 2 V
零件号别名
CGHV60075D5-GP4
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAAP-011232-TR1000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 .1-3GHz Gain 23dB PAE 40% Psat 30dBm
1,000:¥68.5458
参考库存:39989
LMX2582RHAR
Texas Instruments
无线和射频半导体
锁相环 - PLL High Performance RF Synthesizer
2,500:¥80.9871
参考库存:39994
A2T18S160W31SR3
NXP / Freescale
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,160.3631
参考库存:39999
RFFM8550QSR
Qorvo
无线和射频半导体
射频前端 5GHz Wi Fi FEM AEC-Q100
100:¥14.8256
参考库存:40004
MAPRST1214-6UF
MACOM
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 6W Gain: 8.75dB
11:¥1,543.6365
25:¥1,488.0066
参考库存:40009

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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