| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
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150:¥1,174.2734
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参考库存:39233
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W TO270-2
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1:¥297.4499 5:¥282.387 10:¥277.5506 25:¥251.5719 500:¥214.6096
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参考库存:39224
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC10275N/FM14F///REEL 13
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1:¥1,780.3828 5:¥1,737.5784 10:¥1,694.4011 25:¥1,670.6598 50:¥1,670.6598
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参考库存:39217
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1013HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥2,614.7861
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参考库存:39212
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:39198
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-225
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:39193
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4
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1:¥488.2391 5:¥474.0237 10:¥463.8085 25:¥444.3612 500:¥382.1999
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参考库存:39183
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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1:¥1,342.553 5:¥1,312.6532 10:¥1,285.8383 25:¥1,266.8656 150:¥1,220.9085
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参考库存:6637
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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250:¥864.9133
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参考库存:39152
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H
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1:¥1,433.2242 5:¥1,401.2565 10:¥1,372.5884 25:¥1,352.3049 50:¥1,303.2064
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参考库存:5326
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF6V12500GS/CFM2///REEL 13
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50:¥2,727.6618
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参考库存:39145
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,466.2654
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参考库存:39115
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:39110
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥1,609.9562
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参考库存:39093
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,925.8364
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参考库存:39088
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥693.4019
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参考库存:39050
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:39045
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,033.1929
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参考库存:39028
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:38997
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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250:¥700.0124
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参考库存:38992
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