| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W
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1:¥1,530.4946 5:¥1,496.3799 10:¥1,465.8021 25:¥1,444.1287 50:¥1,391.7306
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参考库存:38352
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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1:¥1,020.277 5:¥1,000.5359 10:¥967.4947 25:¥926.5322 150:¥830.7986
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参考库存:4506
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:38338
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1004GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
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250:¥853.15
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参考库存:38313
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2GN
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1:¥168.3587 5:¥160.9798 10:¥155.2959 25:¥135.5435 500:¥116.8759
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参考库存:38301
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L
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250:¥1,072.3022
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参考库存:38284
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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250:¥650.2924
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参考库存:38260
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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500:¥364.0634
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参考库存:38255
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
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150:¥1,151.7525
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参考库存:38248
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
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500:¥156.0643
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参考库存:38239
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
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1:¥18.2834 10:¥16.7466 25:¥15.2098 100:¥13.7521 1,000:¥10.2943
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参考库存:13607
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S165-12S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥637.772
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参考库存:38216
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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50:¥733.9802 100:¥682.6443
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参考库存:38206
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:38151
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,771.8496
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参考库存:38144
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,118.4853
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参考库存:38137
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3/HWONLY///BOARDS NO MARK
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1:¥7,203.75
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参考库存:4006
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W
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250:¥747.495
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参考库存:38104
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
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250:¥908.1697
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参考库存:38086
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
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1:¥502.9969 5:¥492.3184 10:¥473.1084 25:¥457.8873 100:¥424.315
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参考库存:4080
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