| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010GN/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:28991
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
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150:¥1,174.2734
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参考库存:28951
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4
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500:¥682.1132
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参考库存:28941
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
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250:¥650.2924
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参考库存:28887
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,057.0924
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参考库存:28800
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:28749
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1316N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥507.5282
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参考库存:28734
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V
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250:¥700.0124
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参考库存:28677
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H330W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,118.4853
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参考库存:28379
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT18S260W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥912.8592
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参考库存:28260
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1018NB/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥388.2002
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参考库存:28245
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥1,609.9562
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参考库存:28173
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1314H/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,771.8496
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参考库存:28168
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,497.0014
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参考库存:28163
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHE1003N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥977.9472
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参考库存:28119
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
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50:¥4,765.0744
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参考库存:28089
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
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1:¥643.3768 5:¥630.9355 10:¥610.1096 25:¥584.2891 250:¥523.8906
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参考库存:28074
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S162W31GS/CFM4///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥768.7842
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参考库存:28062
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,019.9719
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参考库存:27963
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KGS/CFM4///REEL 13
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50:¥3,879.5725
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参考库存:27840
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