| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1318N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥610.9571
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参考库存:31793
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,033.1929
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参考库存:31778
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,779.1494
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参考库存:31733
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥1,983.0144
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参考库存:31673
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780-4
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250:¥700.0124
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参考库存:31638
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
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500:¥451.2768
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参考库存:31616
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1:¥1,358.9154 5:¥1,328.5636 10:¥1,301.4436 25:¥1,282.1545
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参考库存:31532
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
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250:¥1,013.2936
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参考库存:31482
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
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250:¥775.9258
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参考库存:31472
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1320N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥295.2238
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参考库存:31395
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S160W31S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥1,160.3631
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参考库存:31360
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V
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250:¥847.5452
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参考库存:31278
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,497.0014
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参考库存:31097
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
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150:¥851.6923
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参考库存:30961
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2
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250:¥714.838
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参考库存:30956
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT23H160-25S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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250:¥705.3912
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参考库存:30904
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V
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250:¥759.2583
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参考库存:30698
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
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50:¥3,278.2995
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参考库存:30633
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD300N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥764.0156
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参考库存:30568
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V
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50:¥3,714.6716
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参考库存:30491
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