| 图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G
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1:¥230.6782 5:¥228.2939 10:¥212.7677 25:¥203.2418 500:¥164.98
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参考库存:6036
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V
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1:¥121.3281 10:¥111.5762 25:¥106.6494 100:¥94.2081 500:¥81.3713 1,000:查看
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参考库存:7954
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
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1:¥812.0406 5:¥796.2884 10:¥770.0159 25:¥737.438 250:¥661.2082
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参考库存:3541
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V
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1:¥2,145.4519 5:¥2,097.5738 10:¥2,054.6225 25:¥2,024.3498 50:¥1,950.8094
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参考库存:2143
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N
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1:¥194.1001 5:¥185.5686 10:¥179.0372 25:¥156.2112 500:¥134.7751
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参考库存:9359
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET
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1:¥275.2454 5:¥266.0924 10:¥256.8716 25:¥253.8771 500:¥206.0894
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参考库存:4710
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H
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1:¥1,433.2242 5:¥1,401.2565 10:¥1,372.5884 25:¥1,352.3049 50:¥1,303.2064
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参考库存:2026
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
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1:¥224.757 5:¥214.926 10:¥207.3889 25:¥180.9582 500:¥156.0643
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参考库存:2602
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
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1:¥215.5362 5:¥213.3101 10:¥198.8574 25:¥189.953 500:¥154.1433
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参考库存:4519
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N
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1:¥210.3156 5:¥201.0157 10:¥194.021 25:¥169.274 500:¥145.996
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参考库存:40683
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1014N/PLD4L///REEL 7 Q1 DP
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1:¥99.0445 10:¥91.0554 25:¥87.0552 100:¥76.9191
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参考库存:3173
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
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1:¥410.5516 5:¥398.6414 10:¥390.1212 25:¥373.6684 250:¥331.3386
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参考库存:1985
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
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1:¥297.6759 5:¥282.613 10:¥277.6975 25:¥251.7301
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参考库存:2908
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
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1:¥2,059.0069 5:¥2,013.1289 10:¥1,971.9404 25:¥1,942.8203 50:¥1,872.2857
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参考库存:1698
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N
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1:¥159.7481 10:¥146.9226 25:¥140.3912 100:¥124.0966 500:¥107.1918
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参考库存:4435
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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1:¥1,342.553 5:¥1,312.6532 10:¥1,285.8383 25:¥1,266.8656 150:¥1,220.9085
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参考库存:2670
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-3.6GHz 1.26W
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1:¥123.5542 10:¥113.565 25:¥108.5704 100:¥95.9709 1,000:¥75.9925
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参考库存:15708
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:40326
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H
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150:¥1,073.6808
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参考库存:40133
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥782.0052
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参考库存:40101
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