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晶体管
ZTX692BSTZ参考图片

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ZTX692BSTZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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库存:16,034(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.8082
58.082
100
¥4.4635
446.35
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
70 V
集电极—基极电压 VCBO
70 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX692
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 100 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 500 mA, 2 V, 150 at 1 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 100V AEC-Q101 Qualified
1:¥27.1991
10:¥22.5096
100:¥18.5998
250:¥18.2156
参考库存:6771
晶体管
MOSFET 650V, 120A, 12 mOhm, GaN E-Mode Die Evaluation Module
1:¥2,657.2063
参考库存:24706
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:32988
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
1,500:¥8.5315
4,500:查看
参考库存:17795
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4918
2,500:¥3.842
10,000:查看
参考库存:41807
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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