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晶体管
STGW40M120DF3参考图片

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STGW40M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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库存:11,038(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥82.2188
82.2188
10
¥74.3088
743.088
25
¥70.851
1771.275
100
¥61.5511
6155.11
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
468 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40M120DF3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:43817
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:43822
晶体管
MOSFET 30V Dual N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
5,000:¥1.5707
10,000:¥1.5142
25,000:¥1.4577
50,000:¥1.4125
参考库存:43827
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 4.4 mo FET
1,500:¥2.7685
9,000:¥2.6781
24,000:¥2.5877
参考库存:43832
晶体管
MOSFET -200V Vds 20V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥7.2998
10:¥5.9777
100:¥4.5878
500:¥3.955
1,000:¥3.1075
参考库存:16127
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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