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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	10
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	140
最大工作频率	260 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 200 mA
峰值直流集电极电流	- 200 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB713ZM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 200 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB713ZM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SUM110P08-11L-E3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V 110A 375W	1:¥35.9566 10:¥29.8094 100:¥24.5097 250:¥23.7413 800:¥17.9783 2,400:查看	参考库存:57034
RHU002N06T106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323	1:¥2.7685 10:¥1.7628 100:¥0.76049 1,000:¥0.58421 3,000:¥0.44522	参考库存:14106
SIR626DP-T1-RE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥14.4414 10:¥11.9893 100:¥9.2999 500:¥8.1473 1,000:¥6.7687 3,000:¥6.7687	参考库存:47018
FS15R06VE3_B2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT-MODULE	1:¥155.2959 10:¥142.7642 25:¥136.8543 100:¥120.5597	参考库存:2775
FDD4243-F085P	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet	1:¥6.3732 10:¥5.4466 100:¥4.1923 500:¥3.7064 2,500:¥2.5877 10,000:查看	参考库存:9317